About DoKS      NL  |  EN Search:
  Starts with (bv. psycholog*)    Exact wordgroup (bv. "Visual Basic")
 
Home
Administration
Authors
Departments
Help
Years
 


1.063 theses on-line.
Most popular theses:
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
   
 More... 



Open Archives Initiative
Home

Degradatie van geavanceerde bipolaire transistoren door protonen bestraling

2007
QURESHI, Mansoora
Industrieel ingenieur nucleaire technologie

Trefwoorden: 2007  

Abstract :
De ontwikkeling in siliciumgermanium (SiGe) transistoren verliep de afgelopen jaren stormachtig. Deze legering, in combinatie met koolstof C, biedt unieke materiaaleigenschappen voor de verdere optimalisatie van hetero-junctie bipolaire transistoren (HBTs). Hogere afsnijfrequenties (>300 GHz) geven ontwerpers de ruimte om de huidige radiofrequentie schakelingen (RF) behoorlijk te verbeteren en om nieuwe toepassingen mogelijk te maken. Gedreven door de forse verbeteringen in SiGe, bestudeert IMEC zowel toekomstige BiCMOS- als RF-CMOS-technologieŽn. De integratie tussen de bipolaire technologie en de kostenefficiŽnte CMOS-productietechnologie heeft geleid tot de ontwikkeling van 0.13 Ķm SiGe:C NPN HBT transistoren.
Omdat deze componenten ook aangewend worden in bijvoorbeeld ruimtevaarttoepassingen, worden in deze thesis mogelijke stralingsinvloeden bestudeerd. Voor het onderzoek zijn de volgende transistoren uitgekozen: diepgelegen groef isolatie transistoren, junctie transistoren en multi-emitter vinger transistoren. De DC- en AC-metingen van deze geavanceerde bipolaire transistoren werden voor en na bestraling gerealiseerd. Voor de DC-karakteristieken zijn de Gummel-Poon, de inverse Gummel-Poon en de uitgangskarakteristiek opgemeten. Voor de AC-karakteristieken werden laagfrequentie ruismetingen gedaan. De transistoren zijn met 60 MeV protonen bestraald met 2 verschillende fluences en de opgelopen dosis in silicium bedraagt respectievelijk 0.691 kGy en 6.91 kGy. Na de bestraling werden effecten van zowel ionisatieschade als verplaatsingsschade waargenomen in de karakteristieken. De degradatie van de transistor werd ook nagegaan in functie van verschillende parameters zoals de afmetingen, de verschillende isolatietypes, de toegediende dosis en het aantal vingers van een emitter. Voor de ruismetingen is er geen significante degradatie vastgesteld.
Alhoewel er trends werden waargenomen, zal er nog bijkomend onderzoek nodig zijn om de stralingseffecten verder te kunnen verklaren.

Full text:
File Size Type Checksum
200301236_07.pdf 5 MB Adobe PDF MD5

Dit eindwerk werd 1956 keer bekeken en 21 keer gedownload.
Translate to English (Google translate)
 

Details

show ETD - Dublin Core

If you want to cite this thesis in your own thesis, paper, or report, use this format (APA):

QURESHI, M. (2007). Degradatie van geavanceerde bipolaire transistoren door protonen bestraling. Unpublished thesis, Xios, IWT.
Retrieved from http://doksxios.pxl.be/doks/do/record/Get?dispatch=view&recordId=Sxhl8ae57e8c1a061a52011ac8cb71a7001e.




©2004-2005 - XIOS Hogeschool Limburg - webmaster - Contact